Spice器件模型

导读:三、金属氧化物半导体晶体管MOSFET模型:,3.1一级静态模型:Shichman-Hodges模型,3.2二级静态模型(大信号模型):Meyer模型,3.3三级静态模型:,3.2MOSFET模型参数表:,一级模型理论上复杂,迅速粗略估计电路二级模型可使用复杂程度不同的模型,三级模型精度与二级模型相同,某些参数计算比较复杂四级模型BSIM,三、金属氧化物半导体晶体管MOSFET模型:3.1一级

Spice器件模型

三、 金属氧化物半导体晶体管MOSFET模型:

3.1 一级静态模型:Shichman-Hodges模型

3.2 二级静态模型(大信号模型):Meyer模型

3.2.1 电荷存储效应:

3.2.2 PN结电容:

3.3 三级静态模型:

3.2 MOSFET模型参数表:

一级模型理论上复杂,有效参数少,用于精度不高场合,迅速粗略估计电路 二级模型可使用复杂程度不同的模型,计算较多,常常不能收敛

三级模型精度与二级模型相同,计算时间和重复次数少,某些参数计算比较复杂 四级模型BSIM,适用于短沟道(<3um)的分析,Berkley在1987年提出

五星文库wxphp.com包含总结汇报、办公文档、党团工作、考试资料、旅游景点、教学教材、IT计算机以及Spice器件模型等内容。

本文共6页123456